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SiR800DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
T J = 150 °C
0.0080
0.0064
0.0048
I D = 15 A
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.0032
0.0016
0
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.3
0.1
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 0.1
- 0.3
- 0.5
I D = 5 mA
I D = 250 μA
120
80
40
- 0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Junction Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
1 ms
10
10 ms
100 ms
1
1s
10 s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 65738
S10-0637-Rev. A, 22-Mar-10
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